IGBT
東微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件結(jié)構(gòu)，以得到更低的導(dǎo)通壓降與更小的開關(guān)損耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多個(gè)系列產(chǎn)品，涵蓋600V~1350V電壓，適合應(yīng)用于光伏儲(chǔ)能逆變、直流充電樁、汽車主驅(qū)、UPS等領(lǐng)域。公司亦開發(fā)出超高速系列（E系列）TGBT，工作頻率達(dá)到60-100KHz，可以在滿足電源系統(tǒng)進(jìn)一步高頻化的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)更高的效率。
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